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【评测】光伏材料研发用产品Alfa Aesar

发布时间:2022-07-23 08:47:46 来源:huohu电竞官方 作者:huohu电竞新网址

  年 美国贝尔实验室发现在硅中掺入一定量的杂质后对光更加敏感这一现象后,第一个硅太阳能电池诞生;

  1883年 Charles Fritts用硒半导体上覆上一层极薄的金层形成半导体金属结,第一块太阳电池器件器件制备成功,

  1839年 光生伏特效应第一次由法国物理学家A.E.Becquerel发现。

  目前大多数太阳能电池是由单晶或多晶硅制成的,效率在20%左右。第一代的太阳能电池高度依赖于高纯晶体硅的供应。现在发展到多晶硅生产技术,在光伏产业中可大幅降低成本,同时对高纯硅的依赖也得以降低。然而,这一类硅太阳能电池污染比较大,效率也还是不够满足人类的需求。

  因此,光伏技术的长期商业成功的关键是在模块效率、成本和可靠性的改善。为了规避这些问题,诞生了两个新兴技术:基于铜铟镓硒(CIGS)或碲化镉(CdTe)的太阳能电池装置。这些薄膜光伏的优点包括降低成本,减少材料用量,降低生产成本,缩短回收期。

  碲化镉(CdTe)是用于光伏应用的理想的半导体,其带隙(1.5 eV)几乎完全符合太阳光谱。CdTe薄膜可以通过各种不同的方法沉积到衬底上,包括蒸发、

  电镀,印刷。由于成本效益比其他光伏技术有很大优势,人们对基于碲化镉薄膜技术的光伏模块的大规模并网应用有极大的兴趣。

  不同于硅太阳能电池的P-N结结构,CIGS的结构是复杂的异质结结构。基于Cu(In, Ga)Se2 (CIGS)结构的光伏器件可达到薄膜光伏中的最高的19%光电效率。同时,具有明显进一步提高的前景。通常,CIGS电池将导电玻璃、钢或聚合物衬底溅射在一层钼背电极上。在1.3-2.5毫米厚的CIGS层可以各种方式沉积,包括溅射、共蒸发,印刷和电镀。通过化学水浴沉积法加上一层硫化镉缓冲层。最后镀上铝掺杂的氧化锌传导层。

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2022-07-23
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